دیتاشیت SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIJ478DP-T1-GE3
حجم فایل 99.051 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIJ478DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 5W;62.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 54nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1855pF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.6V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,20A
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه